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GeneSiC Semiconductor MURT20005R
| Artikelnummer: | MURT20005R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | RoHS-konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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GeneSiC Semiconductor MURT20005R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MURT20005R.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 100 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 50 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse Three Tower Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 75 ns Verpackung / Gehäuse Three Tower Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A MURT20005R Einzelheiten PDF [English] MURT20005R PDF - EN.pdf -
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